产物优势
接管超高元胞密度、新洁T系产物功能卓越，出增超高抗雪崩击穿能耐以及高坚贞性展现，强型运用新洁能特有的列产沟槽型工艺平台，具备较优的新洁T系鲁棒性，
出增产物特色
出增○ 高功电流密度
出增○ 超低导通阻抗
出增○ 高散热功能
出增○ 高坚贞性
出增 导通电阻典型值低至0.75mR,强型不断电流ID高达325A,优异的参数展现揭示了沟槽型芯片妄想以及封装等工艺的技术实力。新洁能研发团队沟槽型工艺平台推出耐压30V 1mΩ级别增强型N沟道MOSFET系列产物。列产系列产物具备超高电流密度，新洁T系小线宽妄想，出增
